長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于今日在 2023 年閃存峰會(huì)(FMS)上正式發(fā)布了基于晶棧(Xtacking)3.0 技術(shù)的第四代 TLC 三維閃存 X3-9070。相比長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品,X3-9070 擁有更高的存儲(chǔ)密度,更快的 I / O 速度,并采用 6-plane 設(shè)計(jì),讓其在性能提升的同時(shí)做到了功耗更低。

自 2023 年問(wèn)世以來(lái),晶棧(Xtacking)技術(shù)已成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)助推閃存行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵動(dòng)力之一。在晶棧從 1.0 到 3.0 的迭代發(fā)展中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于該技術(shù)打造了多款長(zhǎng)江存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案產(chǎn)品,包括 SATA III、PCIe Gen3、Gen4 固態(tài)硬盤,以及用于移動(dòng)通信和其他嵌入式應(yīng)用的 eMMC、UFS 等嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。

Forward Insights 創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong 表示,存儲(chǔ)陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術(shù)對(duì)推動(dòng) 3D NAND 技術(shù)發(fā)展和創(chuàng)新至關(guān)重要。目前,長(zhǎng)江存儲(chǔ) X3-9070 已經(jīng)通過(guò)美國(guó)電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)定義的多項(xiàng)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

具體來(lái)說(shuō),長(zhǎng)江存儲(chǔ) X3-9070 擁有以下優(yōu)勢(shì):

• 性能方面:實(shí)現(xiàn)高達(dá) 2400MT / s 的 I / O 傳輸速率,符合 ONFI5.0 規(guī)范,相比上代產(chǎn)品提升了 50%。

• 密度方面:晶棧 3.0 的架構(gòu)能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn) 1Tb 的存儲(chǔ)容量,這讓 X3-9070 成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品。

• 產(chǎn)品體驗(yàn)方面:得益于創(chuàng)新的 6-plane 設(shè)計(jì),X3-9070 相比傳統(tǒng) 4-plane,性能提升 50% 以上,同時(shí)功耗降低 25%。

值得一提的是,據(jù)供應(yīng)鏈消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ) X3-9070 堆疊層數(shù)已達(dá)到 232 層,達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

IT之家了解到,SK 海力士今日宣布開(kāi)發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片,預(yù)計(jì)明年上半年量產(chǎn)。此外,美光公司于 7 月 26 日宣布全球首款 232 層 NAND 已在該公司的新加坡工廠量產(chǎn),其速度提升 50%,可實(shí)現(xiàn)有史以來(lái)最高的 TLC 密度(14.6 Gb / mm2)。